FS10SM-9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: FS10SM-9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам