FTZ20N01G5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTZ20N01G5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTZ20N01G5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTZ20N01G5 даташит

 ..1. Size:362K  ark-micro
 ftz20n01g5.pdf pdf_icon

FTZ20N01G5

FTZ20N01G5 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Proprietary Advanced Planar Technology BVDSS R (Typ.) I DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 20V 1.55 500mA RoHS Compliant Halogen-free Available Applications SOT-23 High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Drain Source Active PFC Gate

Другие IGBT... 2SK2171, 2N5640, FTP08N50, FTA08N50, STP16NE06, STP16NE06FP, FTX30P35G, FTZ15N35G, STF13NM60N, FTZ30P35G, FTZ50P01G5, FTE08N06G, FTE11N06G, FTF16N06G, FTP04N60A, FTA04N60A, FTP04N60B