Справочник MOSFET. FTE08N06G

 

FTE08N06G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FTE08N06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTE08N06G

 

 

FTE08N06G Datasheet (PDF)

1.1. fte08n06g.pdf Size:373K _ark-micro

FTE08N06G FTE08N06G

FTE08N06G 60V N-Channel MOSFET General Features  Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID  RoHS Compliant  Halogen-free available 60V 8.5m Ω 20A Applications  Power Management in Inverter System SOP-8  Synchronous Rectification D D D D D G S S S S G Ordering Information Part Number Package Marking Remark FTE08N06G SOP-8 08N06G Halogen Free

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top