Справочник MOSFET. FTE08N06G

 

FTE08N06G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTE08N06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FTE08N06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTE08N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  ark-micro
 fte08n06g.pdf pdf_icon

FTE08N06G

FTE08N06G 60V N-Channel MOSFET General Features Fast Switching Speed BVDSS RDS(ON) (Typ.) ID RoHS Compliant Halogen-free available 60V 8.5m 20A Applications Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification DD D D DG SS S S GOrdering Information Part Number Package Marking Remark FTE08N06G SOP-8 08N06G Halogen Free

Другие MOSFET... FTA08N50 , STP16NE06 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , K2611 , FTE11N06G , FTF16N06G , FTP04N60A , FTA04N60A , FTP04N60B , FTA04N60B , FTP07N60 , FTA07N60 .

History: FQPF12N65C | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.