J310G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: J310G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: TO92
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
J310G Datasheet (PDF)
j309g j310g.pdf

J309, J310Preferred Device JFET VHF/UHF AmplifiersN-Channel DepletionFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*1 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain-Source Voltage VDS 25 VdcGATEGate -Source Voltage VGS 25 VdcForward Gate Current IGF 10 mAdc2 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above = 25C 2.8 mW/
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: MMF60R290PTH | PMPB30XPE | HCU60R580 | SVF10N60S | AM2306 | GSM6530S | AP9962GJ
History: MMF60R290PTH | PMPB30XPE | HCU60R580 | SVF10N60S | AM2306 | GSM6530S | AP9962GJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n