BR2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR2N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для BR2N60
BR2N60 Datasheet (PDF)
br2n60.pdf

BR2N60 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency
Другие MOSFET... 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , K3569 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 .
History: SSP7464N | SSRF4N60 | SSPS7333P | SSQ6N60 | SWHA088R06VT | SWF20N50D
History: SSP7464N | SSRF4N60 | SSPS7333P | SSQ6N60 | SWHA088R06VT | SWF20N50D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219