BR2N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

BR2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BR2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  blue-rocket-elect
 br2n60.pdf pdf_icon

BR2N60

BR2N60 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , AO3400 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 .

History: CS2N60F

 

 
Back to Top

 


 
.