BR50N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

BR50N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BR50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1026K  blue-rocket-elect
 br50n06.pdf pdf_icon

BR50N06

BR50N06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 8.1. Size:781K  blue-rocket-elect
 br50n03.pdf pdf_icon

BR50N06

BR50N03 Rev.B Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC .S

 9.1. Size:795K  blue-rocket-elect
 br50n10.pdf pdf_icon

BR50N06

BR50N10(BRCS50N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on), low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , K3569 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 .

History: BR75N08 | SMK630F | BR50N10

 

 
Back to Top

 


 
.