BR50N10 - описание и поиск аналогов

 

BR50N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR50N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BR50N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR50N10 даташит

 ..1. Size:795K  blue-rocket-elect
 br50n10.pdf pdf_icon

BR50N10

BR50N10(BRCS50N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on), low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:781K  blue-rocket-elect
 br50n03.pdf pdf_icon

BR50N10

BR50N03 Rev.B Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC .S

 9.2. Size:1026K  blue-rocket-elect
 br50n06.pdf pdf_icon

BR50N10

BR50N06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , IRF9540N , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 .

History: 2SK293 | ST3424

 

 

 

 

↑ Back to Top
.