BR75N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR75N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для BR75N08
BR75N08 Datasheet (PDF)
br75n08.pdf

BR75N08(BRCS75N08R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
br75n75.pdf

BR75N75(BRCS75N75R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
Другие MOSFET... BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , IRLB4132 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet