BR7N60 - описание и поиск аналогов

 

BR7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BR7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR7N60 даташит

 ..1. Size:1024K  blue-rocket-elect
 br7n60.pdf pdf_icon

BR7N60

BR7N60(BRCS7N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:1009K  blue-rocket-elect
 br7n65.pdf pdf_icon

BR7N60

BR7N65 Rev. G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

Другие MOSFET... BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , K3569 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 .

History: SM6012NSUB | 2SK293

 

 

 

 

↑ Back to Top
.