BR7N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR7N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для BR7N60
BR7N60 Datasheet (PDF)
br7n60.pdf

BR7N60(BRCS7N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
br7n65.pdf

BR7N65 Rev. G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw
Другие MOSFET... BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , SPP20N60C3 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 .
History: BR7N80 | WMJ4N150D1 | KIA18N50H-220F | AONR32318 | FHP150N1F4A | SWY12N70D | AONR30310
History: BR7N80 | WMJ4N150D1 | KIA18N50H-220F | AONR32318 | FHP150N1F4A | SWY12N70D | AONR30310



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404