BR80N08. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BR80N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для BR80N08
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BR80N08 даташит
br80n08.pdf
BR80N08(BRCS80N08R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
br80n08a.pdf
BR80N08A Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficienc
br80n10.pdf
BR80N10(BRCS80N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
Другие MOSFET... BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , SPP20N60C3 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 .
History: SI9926BDY
History: SI9926BDY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor





