Справочник MOSFET. BRB7N80

 

BRB7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:989K  blue-rocket-elect
 brb7n80.pdf pdf_icon

BRB7N80

BRB7N80(BRCS7N80B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:747K  blue-rocket-elect
 brb7n60.pdf pdf_icon

BRB7N80

BRB7N60(3BRCS7N60CB) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 9.2. Size:831K  blue-rocket-elect
 brb7n65.pdf pdf_icon

BRB7N80

BRB7N65(BRCS7N65B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY , BRB50N06 , BRB7N60 , BRB7N65 , 13N50 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.