BRB7N80 - описание и поиск аналогов

 

BRB7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для BRB7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB7N80 даташит

 ..1. Size:989K  blue-rocket-elect
 brb7n80.pdf pdf_icon

BRB7N80

BRB7N80(BRCS7N80B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:747K  blue-rocket-elect
 brb7n60.pdf pdf_icon

BRB7N80

BRB7N60(3BRCS7N60CB) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 9.2. Size:831K  blue-rocket-elect
 brb7n65.pdf pdf_icon

BRB7N80

BRB7N65(BRCS7N65B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... JCS2N60V , JCS2N60R , JCS2N60C , JCS2N60F , SI4963DY , BRB50N06 , BRB7N60 , BRB7N65 , 4N60 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 .

History: CS6N60FA9H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.