BRD18N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

BRD18N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BRD18N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для BRD18N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD18N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1210K  blue-rocket-elect
 brd18n06.pdf pdf_icon

BRD18N06

BRD18N06(BRCS18N06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on)Rugged and reliablesurface mount package. / Applications

 9.1. Size:840K  blue-rocket-elect
 brd18p06.pdf pdf_icon

BRD18N06

BRD18P06(BRCS18P06D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ESD Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliablesurface mount packageESD protecte

Другие MOSFET... BRB7N60 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , SKD502T , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 .

History: SJMN380R70B | BRD2N60 | WMK043N10HGS | PTP10N40B

 

 
Back to Top

 


 
.