BRD2N65 - описание и поиск аналогов

 

BRD2N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD2N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRD2N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD2N65 даташит

 ..1. Size:693K  blue-rocket-elect
 brd2n65.pdf pdf_icon

BRD2N65

BRD2N65(BRCS2N65D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 8.1. Size:681K  blue-rocket-elect
 brd2n60.pdf pdf_icon

BRD2N65

BRD2N60 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... BRB80N10 , BRD15P06 , BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , IRF520 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 .

History: UT3N06G-AE3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.