BRD50N03 - описание и поиск аналогов

 

BRD50N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD50N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRD50N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD50N03 даташит

 ..1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brd50n03.pdf pdf_icon

BRD50N03

BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 7.1. Size:773K  blue-rocket-elect
 brd50n06.pdf pdf_icon

BRD50N03

BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:587K  blue-rocket-elect
 brd50p06.pdf pdf_icon

BRD50N03

Другие MOSFET... BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , 8N60 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 .

History: VN0610LL | WMK120N04TS | VN10KLS | VN0109ND | 18N20 | VN0335ND | 2SJ451

 

 

 

 

↑ Back to Top
.