Справочник MOSFET. BRD50N03

 

BRD50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для BRD50N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brd50n03.pdf pdf_icon

BRD50N03

BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 7.1. Size:773K  blue-rocket-elect
 brd50n06.pdf pdf_icon

BRD50N03

BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:587K  blue-rocket-elect
 brd50p06.pdf pdf_icon

BRD50N03

BRD50P06 Rev.F Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. Halogen-free Product. / Applications

Другие MOSFET... BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , K2611 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.