BRF10N60 - описание и поиск аналогов

 

BRF10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

Аналог (замена) для BRF10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF10N60 даташит

 ..1. Size:1041K  blue-rocket-elect
 brf10n60.pdf pdf_icon

BRF10N60

BRF10N60(BRCS10N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

 7.1. Size:991K  blue-rocket-elect
 brf10n65.pdf pdf_icon

BRF10N60

BRF10N65(BRCS10N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

 8.1. Size:869K  blue-rocket-elect
 brf10n80.pdf pdf_icon

BRF10N60

BRF10N80(BRCS10N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

Другие MOSFET... BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , IRFZ48N , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 .

History: WSD4062DN56 | WML07N80M3 | SVF2N60F | WML90R260S | CS730FA9RD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.