BRF10N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRF10N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для BRF10N65
BRF10N65 Datasheet (PDF)
brf10n65.pdf
BRF10N65(BRCS10N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f
brf10n60.pdf
BRF10N60(BRCS10N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f
brf10n80.pdf
BRF10N80(BRCS10N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f
Другие MOSFET... BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , RU7088R , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 .
History: VS3540AC
History: VS3540AC
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF | AP60N04DF | AP60N04D | AP60N03Y | AP60N03NF | AP60N03DF | AP60N03D | AP60N02NF | AP60N02DF | AP60N02D | AP5P06MSI | AP5P04MI | AP40P04NF | AP40P04DF
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220




