BRF10N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BRF10N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BRF10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF10N65 даташит

 ..1. Size:991K  blue-rocket-elect
 brf10n65.pdf pdf_icon

BRF10N65

BRF10N65(BRCS10N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

 7.1. Size:1041K  blue-rocket-elect
 brf10n60.pdf pdf_icon

BRF10N65

BRF10N60(BRCS10N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

 8.1. Size:869K  blue-rocket-elect
 brf10n80.pdf pdf_icon

BRF10N65

BRF10N80(BRCS10N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

Другие IGBT... BRD50N06, BRD5N50, BRD5N60, BRD630, BRD6N60, BRD6N70, BRD70N03, BRF10N60, AO4468, BRF10N80, BRF12N60, BRF12N65, BRF13N50, BRF15N65, BRF1N60, BRF20N50, BRF20N60