Справочник MOSFET. BRF10N65

 

BRF10N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF10N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
 

 Аналог (замена) для BRF10N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  blue-rocket-elect
 brf10n65.pdf pdf_icon

BRF10N65

BRF10N65(BRCS10N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

 7.1. Size:1041K  blue-rocket-elect
 brf10n60.pdf pdf_icon

BRF10N65

BRF10N60(BRCS10N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

 8.1. Size:869K  blue-rocket-elect
 brf10n80.pdf pdf_icon

BRF10N65

BRF10N80(BRCS10N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited f

Другие MOSFET... BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , STP65NF06 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 .

History: KP813B | FDD6685 | AP09N70P-A-HF | IRF7207 | IXFK48N60Q3 | FMI13N60E | APQ06SN60AH

 

 
Back to Top

 


 
.