BRF12N60 - описание и поиск аналогов

 

BRF12N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

Аналог (замена) для BRF12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF12N60 даташит

 ..1. Size:850K  blue-rocket-elect
 brf12n60.pdf pdf_icon

BRF12N60

 7.1. Size:852K  blue-rocket-elect
 brf12n65.pdf pdf_icon

BRF12N60

BRF12N65(BRCS12N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency sw

Другие MOSFET... BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , IRLB3034 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.