BRF12N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRF12N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для BRF12N60
BRF12N60 Datasheet (PDF)
brf12n60.pdf
BRF12N60(BRCS12N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications PFC
brf12n65.pdf
BRF12N65(BRCS12N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency sw
Другие MOSFET... BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , EMB04N03H , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH022N10LL | AGMH022N10H | AGM85P10D | AGM85P10A | AGM7N65D | AGM6N20D | AGM665E | AGM665D | AGM65R380F | AGM655D | AGM628S | AGM628MN | AGM628MD | AGM628MAP | AGM628M | AGM4025D
Popular searches
2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet



