Справочник MOSFET. BRF20N60

 

BRF20N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  blue-rocket-elect
 brf20n60.pdf pdf_icon

BRF20N60

BRF20N60(BRCS20N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,Ultra low gate charge, low effective output capacitance, high switch speed. / Applications

 8.1. Size:781K  blue-rocket-elect
 brf20n50.pdf pdf_icon

BRF20N60

BRF20N50(BRCS20N50FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate chargeLow Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices a

Другие MOSFET... BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , IRF1405 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.