Справочник MOSFET. BRF3N80

 

BRF3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
 

 Аналог (замена) для BRF3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  blue-rocket-elect
 brf3n80.pdf pdf_icon

BRF3N80

BRF3N80(BRCS3N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate chargeLow Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are

Другие MOSFET... BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , AO4468 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , BRF6N70 , BRF7N60 , BRF7N65 .

History: DMP6180SK3-13 | BUK9Y15-100E | APT8043BFLL | APT1201R5SVFRG | KHB2D0N60P | AM20N10-130D | NTD4810N-1G

 

 
Back to Top

 


 
.