BRF3N80 - описание и поиск аналогов

 

BRF3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

Аналог (замена) для BRF3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF3N80 даташит

 ..1. Size:971K  blue-rocket-elect
 brf3n80.pdf pdf_icon

BRF3N80

BRF3N80(BRCS3N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge Low Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are

Другие MOSFET... BRF13N50 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , 60N06 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , BRF6N70 , BRF7N60 , BRF7N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.