Справочник MOSFET. BRF3N80

 

BRF3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  blue-rocket-elect
 brf3n80.pdf pdf_icon

BRF3N80

BRF3N80(BRCS3N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate chargeLow Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FCPF260N60E | SQJ460AEP | FDB9409L-F085 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.