Справочник MOSFET. BRF6N70

 

BRF6N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF6N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
 

 Аналог (замена) для BRF6N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF6N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  blue-rocket-elect
 brf6n70.pdf pdf_icon

BRF6N70

BRF6N70(BRCS6N70F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications

 9.1. Size:933K  blue-rocket-elect
 brf6n60.pdf pdf_icon

BRF6N70

BRF6N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON), Low gate charge, Low Crss , Fast switching, Improved dv/dt capability. / App

Другие MOSFET... BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , IRF740 , BRF7N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , BRF8N80 , CS1N60D , CS2N60D .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | AP9938AGEY | IXFT16N120P | AP18T10GJ | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.