BRF6N70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRF6N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для BRF6N70
BRF6N70 Datasheet (PDF)
brf6n70.pdf

BRF6N70(BRCS6N70F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications
brf6n60.pdf

BRF6N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON), Low gate charge, Low Crss , Fast switching, Improved dv/dt capability. / App
Другие MOSFET... BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , IRF740 , BRF7N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , BRF8N80 , CS1N60D , CS2N60D .
History: P5506NVG | FCAB21520L1
History: P5506NVG | FCAB21520L1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet