BRF6N70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BRF6N70  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BRF6N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF6N70 даташит

 ..1. Size:757K  blue-rocket-elect
 brf6n70.pdf pdf_icon

BRF6N70

 9.1. Size:933K  blue-rocket-elect
 brf6n60.pdf pdf_icon

BRF6N70

BRF6N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON), Low gate charge, Low Crss , Fast switching, Improved dv/dt capability. / App

Другие IGBT... BRF2N65, BRF2N70, BRF3N80, BRF4N60, BRF4N65, BRF4N80, BRF5N60, BRF6N60, IRF740, BRF7N60, BRF7N65, BRF7N80, BRF8N60, BRF8N65, BRF8N80, CS1N60D, CS2N60D