Справочник MOSFET. BRF7N60

 

BRF7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1008K  blue-rocket-elect
 brf7n60.pdf pdf_icon

BRF7N60

BRF7N60(BRCS7N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for

 8.1. Size:804K  blue-rocket-elect
 brf7n65.pdf pdf_icon

BRF7N60

BRF7N65(BRCS7N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for

 9.1. Size:1072K  blue-rocket-elect
 brf7n80.pdf pdf_icon

BRF7N60

BRF7N80(BRCS7N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate chargeLow Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are

Другие MOSFET... BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , BRF6N70 , 20N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , BRF8N80 , CS1N60D , CS2N60D , CS4N60D .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.