BRF7N65. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRF7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для BRF7N65
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRF7N65 даташит
brf7n65.pdf
BRF7N65(BRCS7N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for
brf7n60.pdf
BRF7N60(BRCS7N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for
brf7n80.pdf
BRF7N80(BRCS7N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge Low Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are
Другие MOSFET... BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , BRF6N70 , BRF7N60 , 20N60 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , BRF8N80 , CS1N60D , CS2N60D , CS4N60D , CS1N60 .
History: WNM01N10
History: WNM01N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135



