BRF7N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BRF7N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BRF7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF7N80 даташит

 ..1. Size:1072K  blue-rocket-elect
 brf7n80.pdf pdf_icon

BRF7N80

BRF7N80(BRCS7N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge Low Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are

 9.1. Size:804K  blue-rocket-elect
 brf7n65.pdf pdf_icon

BRF7N80

BRF7N65(BRCS7N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for

 9.2. Size:1008K  blue-rocket-elect
 brf7n60.pdf pdf_icon

BRF7N80

BRF7N60(BRCS7N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for

Другие IGBT... BRF4N60, BRF4N65, BRF4N80, BRF5N60, BRF6N60, BRF6N70, BRF7N60, BRF7N65, IRF540N, BRF8N60, BRF8N65, BRF8N80, CS1N60D, CS2N60D, CS4N60D, CS1N60, CS4N65