Справочник MOSFET. BRF8N60

 

BRF8N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF8N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
 

 Аналог (замена) для BRF8N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  blue-rocket-elect
 brf8n60.pdf pdf_icon

BRF8N60

BRF8N60(BRCS8N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for h

 8.1. Size:979K  blue-rocket-elect
 brf8n65.pdf pdf_icon

BRF8N60

BRF8N65(BRCS8N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 9.1. Size:1047K  blue-rocket-elect
 brf8n80.pdf pdf_icon

BRF8N60

BRF8N80(BRCS8N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for h

Другие MOSFET... BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , BRF6N60 , BRF6N70 , BRF7N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , IRF540N , BRF8N65 , BRF8N80 , CS1N60D , CS2N60D , CS4N60D , CS1N60 , CS4N65 , CS2300 .

History: VBE2102M | 2SK1094 | OSG80R380HF | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.