Справочник MOSFET. BRI20N03

 

BRI20N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI20N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.136 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI20N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  blue-rocket-elect
bri20n03.pdfpdf_icon

BRI20N03

BRI20N03(BRCS20N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... FS8205A , CS2301 , CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , 2SK3878 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 .

History: SFB120N120B | PNMT6N2 | FQD50N06 | AUIRLS4030 | YJQ62G06A | 2SJ213 | PSMN8R5-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.