BRI2N65. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRI2N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для BRI2N65
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRI2N65 даташит
bri2n65.pdf
BRI2N65(BRCS2N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef
bri2n60.pdf
BRI2N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency
bri2n70.pdf
BRI2N70 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , R , DS(on) Low gate charge, Low ON Resistance, fast switching. / Applications Power switch circuit of adaptor an
Другие MOSFET... CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , IRFP250N , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet



