Справочник MOSFET. BRI2N65

 

BRI2N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  blue-rocket-elect
 bri2n65.pdf pdf_icon

BRI2N65

BRI2N65(BRCS2N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 8.1. Size:777K  blue-rocket-elect
 bri2n60.pdf pdf_icon

BRI2N65

BRI2N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 9.1. Size:1887K  blue-rocket-elect
 bri2n70.pdf pdf_icon

BRI2N65

BRI2N70 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , R ,DS(on)Low gate charge, Low ON Resistance, fast switching. / Applications Power switch circuit of adaptor an

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CHM9936AJGP | SRC60R145BS | 50N60G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.