BRI4N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRI4N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для BRI4N60
BRI4N60 Datasheet (PDF)
bri4n60.pdf

BRI4N60(BRCSI4N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high e
bri4n65.pdf

BRI4N65(BRCS4N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef
bri4n70.pdf

BRI4N70 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,Low thermal resistance, fast switching. / Applications For Electronic transformer, Switch mode power supply. / Eq
Другие MOSFET... CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , IRLZ44N , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 .
History: FDBL0120N40 | G1825 | NTD4904N | FDBL0090N40 | 2SK4100LS | BRI5N60
History: FDBL0120N40 | G1825 | NTD4904N | FDBL0090N40 | 2SK4100LS | BRI5N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n