Справочник MOSFET. BRI50N03

 

BRI50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI50N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  blue-rocket-elect
 bri50n03.pdf pdf_icon

BRI50N03

BRI50N03(BRCS50N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

 7.1. Size:833K  blue-rocket-elect
 bri50n06.pdf pdf_icon

BRI50N03

BRI50N06 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , 12N60 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 .

History: SFT016N80C3 | RU30S15H | IRF730PBF | SQ1440EH | NTND31225CZ | APT30M17JLL | IPD65R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.