BRI50N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRI50N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для BRI50N03
BRI50N03 Datasheet (PDF)
bri50n03.pdf

BRI50N03(BRCS50N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC
bri50n06.pdf

BRI50N06 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , SKD502T , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 .
History: SE3400 | SSP2N60B | NTD4904N | FDBL0630N150 | 2SK1033 | SE2304 | VTI640F
History: SE3400 | SSP2N60B | NTD4904N | FDBL0630N150 | 2SK1033 | SE2304 | VTI640F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438