Справочник MOSFET. BRI5N50

 

BRI5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI5N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  blue-rocket-elect
 bri5n50.pdf pdf_icon

BRI5N50

BRI5N50 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

 9.1. Size:730K  blue-rocket-elect
 bri5n65.pdf pdf_icon

BRI5N50

BRI5N65 Rev.A Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 9.2. Size:693K  blue-rocket-elect
 bri5n60.pdf pdf_icon

BRI5N50

BRI5N60(BRCS5N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , K4145 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 .

History: NP50P03YDG | STB20NM60D | SWD3N90U | WMO05N100C2 | FDMS030N06B | ALD1101BPAL | FDMS86252L

 

 
Back to Top

 


 
.