Справочник MOSFET. BRI5N60

 

BRI5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  blue-rocket-elect
 bri5n60.pdf pdf_icon

BRI5N60

BRI5N60(BRCS5N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 8.1. Size:730K  blue-rocket-elect
 bri5n65.pdf pdf_icon

BRI5N60

BRI5N65 Rev.A Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 9.1. Size:745K  blue-rocket-elect
 bri5n50.pdf pdf_icon

BRI5N60

BRI5N50 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

Другие MOSFET... BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , IRF1010E , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 .

History: AO4466L

 

 
Back to Top

 


 
.