BRI5N60 - описание и поиск аналогов

 

BRI5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRI5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для BRI5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI5N60 даташит

 ..1. Size:693K  blue-rocket-elect
 bri5n60.pdf pdf_icon

BRI5N60

BRI5N60(BRCS5N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 8.1. Size:730K  blue-rocket-elect
 bri5n65.pdf pdf_icon

BRI5N60

BRI5N65 Rev.A Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 9.1. Size:745K  blue-rocket-elect
 bri5n50.pdf pdf_icon

BRI5N60

BRI5N50 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

Другие MOSFET... BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , IRF9540N , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 .

History: SVT078R0ND | SI4435DY-T1-E3 | SL20N03 | BSR302N | BUZ380 | 2SK2673 | AFN4172WSS8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.