BRI5N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRI5N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для BRI5N60
BRI5N60 Datasheet (PDF)
bri5n60.pdf

BRI5N60(BRCS5N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef
bri5n65.pdf

BRI5N65 Rev.A Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency
bri5n50.pdf

BRI5N50 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw
Другие MOSFET... BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , K4145 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 .
History: SE2304 | BRI630 | STP11NB40 | 2SK1033 | BRI3N80 | 2SK1460 | P1087
History: SE2304 | BRI630 | STP11NB40 | 2SK1033 | BRI3N80 | 2SK1460 | P1087



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout