Справочник MOSFET. BRS3N25

 

BRS3N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRS3N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для BRS3N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRS3N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  blue-rocket-elect
 brs3n25.pdf pdf_icon

BRS3N25

BRS3N25(CS3N25) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие MOSFET... BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , TK10A60D , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , VTI640 .

History: IPU80R1K0CE | FDMS7572S

 

 
Back to Top

 


 
.