2N7016 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7016
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO250
2N7016 Datasheet (PDF)
..1. Size:240K 1
2n7016.pdf
2n7016.pdf
9.1. Size:365K siliconix
2n7012 2n7013.pdf
2n7012 2n7013.pdf
This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.
Другие MOSFET... 2N7004 , 2N7005 , 2N7006 , 2N7007 , 2N7008 , 2N7012 , 2N7013 , 2N7014 , STP75NF75 , 2N7022 , 2N7054 , 2N7055 , 2N7057 , 2N7058 , 2N7060 , 2N7061 , 2N7063 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918