Справочник MOSFET. 2N7016

 

2N7016 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2N7016
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO250

 Аналог (замена) для 2N7016

 

 

2N7016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  1
2n7016.pdf

2N7016
2N7016

 9.1. Size:365K  siliconix
2n7012 2n7013.pdf

2N7016
2N7016

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

Другие MOSFET... 2N7004 , 2N7005 , 2N7006 , 2N7007 , 2N7008 , 2N7012 , 2N7013 , 2N7014 , STP75NF75 , 2N7022 , 2N7054 , 2N7055 , 2N7057 , 2N7058 , 2N7060 , 2N7061 , 2N7063 .

 

 

Back to Top