2N7016 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7016  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO250

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7016

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7016 даташит

 ..1. Size:240K  1
 2n7016.pdf pdf_icon

2N7016

 9.1. Size:365K  siliconix
 2n7012 2n7013.pdf pdf_icon

2N7016

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

Другие IGBT... 2N7004, 2N7005, 2N7006, 2N7007, 2N7008, 2N7012, 2N7013, 2N7014, P55NF06, 2N7022, 2N7054, 2N7055, 2N7057, 2N7058, 2N7060, 2N7061, 2N7063