Справочник MOSFET. HUF76413P3

 

HUF76413P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF76413P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76413P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  intersil
 huf76413p3.pdf pdf_icon

HUF76413P3

HUF76413P3Data Sheet November 1999 File Number 4723.122A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, LogicLevel UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10VSOURCE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5VDRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectrical Models- Spice and SABER Thermal Im

 6.1. Size:204K  fairchild semi
 huf76413d3-s.pdf pdf_icon

HUF76413P3

HUF76413D3, HUF76413D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN DRAINSOURCE- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10V (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER

 6.2. Size:617K  fairchild semi
 huf76413dk f085.pdf pdf_icon

HUF76413P3

October 2010HUFA76413DK8T_F085N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60V, 4.8A, 56mGeneral DescriptionThese N-Channel power MOSFETs are manufactured us-Applicationsing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Controlcess technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

 7.1. Size:321K  fairchild semi
 huf76419s f085.pdf pdf_icon

HUF76413P3

April 2013HUF76419S3ST_F085N-Channel Power Trench MOSFET60V, 29A, 35m DDFeatures Typ rDS(on) = 26.7m at VGS = 10V, ID = 29A Typ Qg(tot) = 23.7nC at VGS = 10V, ID = 29AG UIS Capability RoHS CompliantGS Qualified to AEC Q101TO-263ABSMOSFET Maximum Ratings TJ = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Ratings UnitsVDSS Drain to Source Voltage 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF76407D3S , HUF76407DK8 , HUF76407P3 , HUF76409D3 , HUF76409D3S , HUF76409P3 , HUF76413D3 , HUF76413D3S , 12N60 , HUF76419D3 , HUF76419D3S , HUF76419P3 , HUF76419S3S , HUF76423D3 , HUF76423D3S , HUF76423P3 , HUF76423S3S .

History: SVS14N65FJD2

 

 
Back to Top

 


 
.