2SK2083 - описание и поиск аналогов

 

2SK2083. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2083

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: SMP-FD

Аналог (замена) для 2SK2083

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2083 даташит

 ..1. Size:119K  sanyo
2sk2083.pdfpdf_icon

2SK2083

Ordering number ENN4617 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2083 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2090A Micaless package facilitating mounting. [2SK2083] 10.2 4.5 1.3 1 2 3 0 to 0.3 0.8 1.2 0.4 2.55 2.55 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO SMP-FD Specifications Absol

 8.1. Size:85K  1
2sk2084stl-e.pdfpdf_icon

2SK2083

2SK2084(L), 2SK2084(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G0995-0200 (Previous ADE-208-1342) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC - DC converter Outline RENESAS Package co

 8.2. Size:305K  toshiba
2sk208.pdfpdf_icon

2SK2083

2SK208 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK208 General Purpose and Impedance Converter and Unit mm Condenser Microphone Applications High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance I = -1.0 nA (max) (V = -30 V) GSS GS Low noise NF = 0.5dB (typ.) (R = 100 k , f = 120 Hz) G Small package. Maximum Ratings (Ta = =

 8.3. Size:88K  renesas
2sk2084.pdfpdf_icon

2SK2083

2SK2084(L), 2SK2084(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G0995-0200 (Previous ADE-208-1342) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC - DC converter Outline RENESAS Package co

Другие MOSFET... 2SK2011 , 2SK2014 , 2SK2015 , 2SK2016 , 2SK2032 , 2SK2046 , 2SK2047 , 2SK2074 , 2N7002 , 2SK2091 , 2SK2101-01MR , 2SK2108 , 2SJ616 , 2SK1428 , 2SK1429 , 2SK1430 , 2SK1431 .

History: WML80R160S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.