Справочник MOSFET. 2SK2083

 

2SK2083 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2083
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: SMP-FD
 

 Аналог (замена) для 2SK2083

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2083 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  sanyo
2sk2083.pdfpdf_icon

2SK2083

Ordering number:ENN4617N-Channel Silicon MOSFET2SK2083Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2090A Micaless package facilitating mounting.[2SK2083]10.24.51.31 2 30 to 0.30.81.20.42.55 2.551 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : SMP-FDSpecificationsAbsol

 8.1. Size:85K  1
2sk2084stl-e.pdfpdf_icon

2SK2083

2SK2084(L), 2SK2084(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G0995-0200 (Previous: ADE-208-1342) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC - DC converter Outline RENESAS Package co

 8.2. Size:305K  toshiba
2sk208.pdfpdf_icon

2SK2083

2SK208 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK208 General Purpose and Impedance Converter and Unit: mm Condenser Microphone Applications High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: I = -1.0 nA (max) (V = -30 V) GSS GS Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (R = 100 k, f = 120 Hz) G Small package. Maximum Ratings (Ta ==

 8.3. Size:88K  renesas
2sk2084.pdfpdf_icon

2SK2083

2SK2084(L), 2SK2084(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G0995-0200 (Previous: ADE-208-1342) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC - DC converter Outline RENESAS Package co

Другие MOSFET... 2SK2011 , 2SK2014 , 2SK2015 , 2SK2016 , 2SK2032 , 2SK2046 , 2SK2047 , 2SK2074 , K4145 , 2SK2091 , 2SK2101-01MR , 2SK2108 , 2SJ616 , 2SK1428 , 2SK1429 , 2SK1430 , 2SK1431 .

History: CM8N60F | APT6035BVFRG | SVS70R420SE3TR | BL4N60A-P | PC015HVA | VBMB1606 | CS4N65A3TDY

 

 
Back to Top

 


 
.