Справочник MOSFET. 2SK2859

 

2SK2859 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2859
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для 2SK2859

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2859 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  sanyo
2sk2859.pdfpdf_icon

2SK2859

Ordering number:EN5851N Channel Silicon MOSFET2SK2859Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low On resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2149 4V drive.[2SA2859]8 51 : No Contact2 : Source3 : No Contact4 : Gate140.25 : Drain5.06 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolut

 8.1. Size:55K  1
2sk2851.pdfpdf_icon

2SK2859

2SK2851Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-4781st. EditionFeatures Low on-resistanceRDS(on) = 0.055 typ. (at VGS = 10 V, ID = 2.5 A) 4V gate drive devices. Large current capacitanceID = 5 AOutlineTO-92MOD.DG1. Source322. Drain13. GateS2SK2851Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to

 8.2. Size:125K  toshiba
2sk2855.pdfpdf_icon

2SK2859

2SK2855 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE 2SK2855 UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION Unit in mm MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITDrain-Source Voltage VDSS 10 VGate-Source Voltage VGSS 6 VDrain Current ID 1.0 ADrain Power Dissipation PD* 0.5 WChannel Temperature Tch 150 CStorage Temperature Range Tstg -55~150 C*:

 8.3. Size:125K  toshiba
2sk2854.pdfpdf_icon

2SK2859

2SK2854 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE 2SK2854 UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION Unit in mm MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITDrain-Source Voltage VDSS 10 VGate-Source Voltage VGSS 6 VDrain Current ID 0.5 ADrain Power Dissipation PD* 0.5 WChannel Temperature Tch 150 CStorage Temperature Range Tstg -55~150 C *:

Другие MOSFET... 2SK1446 , 2SK1446LS , 2SK1447 , 2SK1447LS , 2SK1448 , 2SK1449 , 2SJ612 , 2SK2836 , EMB04N03H , 2SK2864 , 2SK2867 , 2SK2909 , 2SK2910 , 2SK2911 , 2SK2919 , 2SK2951 , 2SK2969 .

History: STB11NM80 | PTD20N06

 

 
Back to Top

 


 
.