2SK2859 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2859
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для 2SK2859
2SK2859 Datasheet (PDF)
2sk2859.pdf

Ordering number:EN5851N Channel Silicon MOSFET2SK2859Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low On resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2149 4V drive.[2SA2859]8 51 : No Contact2 : Source3 : No Contact4 : Gate140.25 : Drain5.06 : Drain7 : Drain8 : Drain0.595 1.270.43SANYO : SOP8SpecificationsAbsolut
2sk2851.pdf

2SK2851Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-4781st. EditionFeatures Low on-resistanceRDS(on) = 0.055 typ. (at VGS = 10 V, ID = 2.5 A) 4V gate drive devices. Large current capacitanceID = 5 AOutlineTO-92MOD.DG1. Source322. Drain13. GateS2SK2851Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to
2sk2855.pdf

2SK2855 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE 2SK2855 UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION Unit in mm MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITDrain-Source Voltage VDSS 10 VGate-Source Voltage VGSS 6 VDrain Current ID 1.0 ADrain Power Dissipation PD* 0.5 WChannel Temperature Tch 150 CStorage Temperature Range Tstg -55~150 C*:
2sk2854.pdf

2SK2854 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE 2SK2854 UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION Unit in mm MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITDrain-Source Voltage VDSS 10 VGate-Source Voltage VGSS 6 VDrain Current ID 0.5 ADrain Power Dissipation PD* 0.5 WChannel Temperature Tch 150 CStorage Temperature Range Tstg -55~150 C *:
Другие MOSFET... 2SK1446 , 2SK1446LS , 2SK1447 , 2SK1447LS , 2SK1448 , 2SK1449 , 2SJ612 , 2SK2836 , EMB04N03H , 2SK2864 , 2SK2867 , 2SK2909 , 2SK2910 , 2SK2911 , 2SK2919 , 2SK2951 , 2SK2969 .
History: STB11NM80 | PTD20N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560