2SK2294. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2294

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220FN

Аналог (замена) для 2SK2294

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2294 даташит

 ..1. Size:135K  rohm
 2sk2294 1-5.pdf pdf_icon

2SK2294

 ..2. Size:140K  rohm
 2sk2294.pdf pdf_icon

2SK2294

Transistors Switching (800V, 3A) 2SK2294 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaran- teed to be 30V. 5) Easily designed drive circuits. 6) Easy to parallel. FStructure Silicon N-channel MOSFET FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FPackaging specifications 10

 8.1. Size:137K  rohm
 2sk2299n 1-5.pdf pdf_icon

2SK2294

 8.2. Size:142K  rohm
 2sk2299n.pdf pdf_icon

2SK2294

Transistors Switching (450V, 7A) 2SK2299N FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaran- teed to be 30V. 5) Easily designed drive circuits. 6) Easy to parallel. FStructure Silicon N-channel MOSFET FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FPackaging specifications 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2797, 2SJ188, 2SK222, 2SK2260, 2SK2273, 2SK2274, 2SK2276, 2SK2277, IRFP250N, 2SK2316, 2SK2323, 2SK2324, 2SK2325, 2SJ609, 2SK1450, 2SK1451, 2SK1452