2SK2625LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK2625LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO220FI
2SK2625LS Datasheet (PDF)
2sk2625ls.pdf
Ordering number : ENN70812SK2625LSN-Channel Silicon MOSFET2SK2625LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Low Qg. 2078C[2SK2625LS]10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 2 31 : Gate2 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55SANYO : TO-220FI(LS)Absolute Maximum Ratings at Ta=25CPar
2sk2627.pdf
Ordering number:ENN6228AN-Channel Silicon MOSFET2SK2627Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Low Qg.2128[2SK2627]8.27.86.20.631 20.31.0 1.00.62.54 2.545.087.810.01 : Gate6.02 : Source3 : DrainSANYO : ZP(Bottom view)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamete
2sk2623.pdf
Ordering number:ENN6148AN-Channel Silicon MOSFET2SK2623Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Low Qg.2083B[2SK2623]6.52.35.00.540.850.71.20.6 0.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source4 : Drain2.3 2.3SANYO : TP2092B[2SK2623]6.5 2.35.0 0.540.50.851 2 30.61 : Gate1.20 to 0
2sk2628ls.pdf
Ordering number : ENN70822SK2628LSN-Channel Silicon MOSFET2SK2628LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Low Qg. 2078C[2SK2628LS]10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 2 31 : Gate2 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55SANYO : TO-220FI(LS)Absolute Maximum Ratings at Ta=25CPar
2sk2624als.pdf
Ordering number : ENA0362B 2SK2624ALSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK2624ALSApplicationsFeatures Low ON-resistance. Low Qg. Ultrahigh-speed switching.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VGate-to-Source Voltage VGSS
2sk2624ls.pdf
Ordering number:ENN5404BN-Channel Silicon MOSFET2SK2624LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Low Qg.2078B[2SK2624LS]4.510.02.83.20.91.21.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditio
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: MTN4N60AFP | MTP30N08M
History: MTN4N60AFP | MTP30N08M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918