2SK1609 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK1609  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK1609

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1609 даташит

 ..1. Size:36K  panasonic
2sk1609.pdfpdf_icon

2SK1609

Power F-MOS FETs 2SK1609 2SK1609 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 10.0 0.2 4.2 0.2 High avalanche energy capability 5.5 0.2 2.7 0.2 VGSS 30V guaranteed Low RDS(on), high-speed switching characteristic 3.1 0.1 Applications High-speed switching (switching mode regulator) For high-frequency power amplification 1.3 0.2 1.4 0.1 +0.2 0.5 -0.1 Abs

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
2sk1609.pdfpdf_icon

2SK1609

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1609 DESCRIPTION Drain Current I =8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXI

 8.1. Size:673K  toshiba
2sk1602.pdfpdf_icon

2SK1609

 8.2. Size:673K  toshiba
2sk1600.pdfpdf_icon

2SK1609

2sk160

Другие IGBT... 2SJ192, 2SJ193, 2SJ194, 2SJ195, 2SK1605, 2SK1606, 2SK1607, 2SK1608, IRFP460, 2SK1610, 2SK1612, 2SK1613, 2SK1614, 2SK1724, 2SK1725, 2SK1727, 2SK1728