Справочник MOSFET. 2SK1613

 

2SK1613 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1613
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: SC65
 

 Аналог (замена) для 2SK1613

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1613 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  panasonic
2sk1613.pdfpdf_icon

2SK1613

Power F-MOS FETs 2SK16132SK1613Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features15.0 0.5 4.5 0.2High avalanche energy capability13.0 0.5 10.5 0.5 2.0 0.1VGSS : 30V guaranteedLow RDS(on), high-speed switching characteristic3.2 0.1 ApplicationsHigh-speed switching (switching mode regulator)2.0 0.2For high-frequency power amplification1.4 0.31.1

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
2sk1613.pdfpdf_icon

2SK1613

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1613DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay drivers.ABSOLUTE MAXI

 8.1. Size:366K  toshiba
2sk161.pdfpdf_icon

2SK1613

2SK161 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK161 FM Tuner Applications Unit: mm VHF Band Amplifier Applications Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 MHz) High forward transfer admittance: |Y | = 9 mS (typ.) fs Extremely low reverse transfer capacitance: C = 0.1 pF (typ.) rssMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteris

 8.2. Size:36K  panasonic
2sk1614.pdfpdf_icon

2SK1613

Power F-MOS FETs 2SK16142SK1614Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features15.0 0.5 4.5 0.2High avalanche energy capability13.0 0.5 10.5 0.5 2.0 0.1VGSS, 30V guaranteedLow RDS(on), high-speed switching characteristic3.2 0.1 ApplicationsHigh-speed switching (switching mode regulator)2.0 0.2For high-frequency power amplification1.4 0.31.1 0

Другие MOSFET... 2SJ195 , 2SK1605 , 2SK1606 , 2SK1607 , 2SK1608 , 2SK1609 , 2SK1610 , 2SK1612 , IRF640N , 2SK1614 , 2SK1724 , 2SK1725 , 2SK1727 , 2SK1728 , 2SK1729 , 2SK1730 , 2SK1731 .

History: IPB70N04S4-06 | IRF5NJ6215

 

 
Back to Top

 


 
.