Справочник MOSFET. 2SJ254

 

2SJ254 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ254
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220ML
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ254 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  sanyo
 2sj254.pdf pdf_icon

2SJ254

Ordering number:EN4231P-Channel Silicon MOSFET2SJ254Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2063A Low-voltage drive.[2SJ254] Micaless package facilitating mounting.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO

 9.1. Size:92K  sanyo
 2sj256.pdf pdf_icon

2SJ254

Ordering number:EN4232P-Channel Silicon MOSFET2SJ256Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2063A Low-voltage drive.[2SJ256] Micaless package facilitating mounting.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO

 9.2. Size:93K  sanyo
 2sj258.pdf pdf_icon

2SJ254

Ordering number:EN4745P-Channel Silicon MOSFET2SJ258Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2090A Low-voltage drive.[2SJ258] Surface mount type device making the following10.24.51.3possible. Reduction in the assembling time for 2SJ258-applied equipment. High-density

 9.3. Size:99K  sanyo
 2sj259.pdf pdf_icon

2SJ254

Ordering number:EN4233P-Channel Silicon MOSFET2SJ259Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2093A Low-voltage drive.[2SJ259] Surface mount type device making the following4.510.21.3possible. Reduction in the number of manufacturing pro-cesses for 2SJ259-applied equipment

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFK60N55Q2 | AP2306CGN-HF | MSFA0M02X8 | FDPF51N25RDTU | FDI33N25 | MRF5007 | HSP18N20

 

 
Back to Top

 


 
.