2SJ562. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SJ562
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
Тип корпуса: PCP
Аналог (замена) для 2SJ562
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SJ562 даташит
2sj562.pdf
Ordering number ENN6096A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ562 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2062A 2.5V drive. [2SJ562] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Gate 0.75 2 Drain 3 Source SANYO PCP (Bottom view) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C
2sj562.pdf
2SJ562 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch D S G G D S D P-Channel MOSFET ABSOL
2sj567.pdf
2SJ567 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ( -MOSV) 2SJ567 Industrial Applications Switching Applications Unit mm Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance Y = 2.0 S (typ.) fs Low leakage current I = -100 A (max) (V =
2sj563.pdf
Ordering number ENN6097A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ563 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2062A 4V drive. [2SJ563] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Gate 0.75 2 Drain 3 Source SANYO PCP (Bottom view) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Pa
Другие IGBT... 2SJ485, 2SJ499, 2SJ501, 2SJ502, 2SJ503, 2SJ520, 2SJ560, 2SJ561, 4435, 2SJ563, 2SJ569LS, 2SJ577, 2SJ578, 2SJ579, 2SJ580, 2SJ583LS, 2SJ584LS
History: PSMN4R4-80PS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor







