2SJ589LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ589LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO220FI
2SJ589LS Datasheet (PDF)
2sj589ls.pdf
Ordering number : ENN71482SJ589LSP-Channel Silicon MOSFET2SJ589LSDC / DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm 4V drive. 2078C[2SJ589LS]10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 2 31 : Gate2 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55Absolute Maximum Ratings at Ta=25CSANYO : TO-220FI(LS)Parameter Symbol Conditio
2sj580.pdf
Ordering number : ENN66692SJ580P-Channel Silicon MOSFET2SJ580Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistanse.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2062A 4V drive.[2SJ580]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Gate0.75 2 : Drain3 : SourceSANYO : PCP(Bottom view)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=
2sj583ls.pdf
Ordering number:ENN6409P-Channel Silicon MOSFET2SJ583LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ583LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
2sj585ls.pdf
Ordering number:ENN6412P-Channel Silicon MOSFET2SJ585LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ585LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
2sj584ls.pdf
Ordering number:ENN6410P-Channel Silicon MOSFET2SJ584LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ584LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
2sj581.pdf
PRELIMINARY PRODUCT INFORMATIONMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ581SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATIONThe 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor thatPART NUMBER PACKAGEfeatures a low on-resistance and excellent switching2SJ581 MP-10characteristics, designed for high current switching applicationssuch as DC to DC converter
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918