Справочник MOSFET. SSF1016D

 

SSF1016D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF1016D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SSF1016D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF1016D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  silikron
 ssf1016d.pdf pdf_icon

SSF1016D

SSF1016D Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=100V avalanche energy, 100% test Rdson=16m (Max.) Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1016D is a new generation of high voltage and low current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical par

 7.1. Size:544K  silikron
 ssf1016a.pdf pdf_icon

SSF1016D

SSF1016AMain Product Characteristics: VDSS 100V RDS(on) 13.8mohm(typ.) ID 75A Marking and pin D2PAKSchematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

 7.2. Size:731K  silikron
 ssf1016.pdf pdf_icon

SSF1016D

SSF1016 Feathers: ID =75A Advanced trench process technology BV=100V avalanche energy, 100% test Rdson=16m (Max.) Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1016 is a new generation of high voltage and low current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical

 8.1. Size:417K  silikron
 ssf1010.pdf pdf_icon

SSF1016D

SSF1010Main Product Characteristics: VDSS 100V RDS(on) 9.5mohm(typ.)ID 100AMarking and pin TO220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 17

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF1006A , SSF1006H , SSF1007 , SSF1009 , SSF1010 , SSF1010A , SSF1016 , SSF1016A , 5N65 , SSF1020 , SSF1020A , SSF1020D , SSF1030 , SSF1030B , SSF1030D , SSF1090 , SSF1090A .

History: CM10N60F | KI5P04DS | IPP16CN10N | IPD60R3K4CE | SWI4N60K | 2SK4122LS | NCEP3065BQU

 

 
Back to Top

 


 
.