SSF11NS65UD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF11NS65UD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для SSF11NS65UD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF11NS65UD даташит

 ..1. Size:472K  silikron
 ssf11ns65ud.pdf pdf_icon

SSF11NS65UD

SSF11NS65UD Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.33 (typ.) ID 11A Marking and Pin TO-252 (DPAK) S che mati c Diag r am Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UD series MOSFETs is a new techno

 4.1. Size:495K  silikron
 ssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65UD

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 4.2. Size:434K  silikron
 sssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65UD

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 4.3. Size:479K  silikron
 ssf11ns65u.pdf pdf_icon

SSF11NS65UD

SSF11NS65U Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220 S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65U series MOSFETs is a new te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF1122D, SSF11NS60, SSF11NS60D, SSF11NS60F, SSF11NS60UF, SSF11NS65, SSF11NS65F, SSF11NS65U, IRFB7545, SSF11NS70UF, SSF11NS70UG, SSF1221J2, SSF12N60F, SSF12N65F, SSF1341, SSF13N50, SSF13N50F