SSF12N65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSF12N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 61.67 ns
Выходная емкость (Cd): 163 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SSF12N65F Datasheet (PDF)
ssf12n65f.pdf
SSF12N65FMain Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.68(typ.) ID 12AMarking and pin TO220FSchematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
ssf12n60f.pdf
SSF12N60F Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.55 (typ.) ID 12A Sche ma ti c di agr a m TO220F Marking and pin Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
ssf1221j2.pdf
SSF1221J2 Main Product Characteristics: VDSS -12V RDS(on) 14.4 m(typ.) ID -12A DFN2x2-6L Pin Assignment Schematic diagram Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for battery charge, load switching in cellular handset and general ultraportable applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switc
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
