SSF20N50UH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF20N50UH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SSF20N50UH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF20N50UH даташит

 ..1. Size:463K  silikron
 ssf20n50uh.pdf pdf_icon

SSF20N50UH

SSF20N50UH Main Product Characteristics VDSS 500V RDS(on) 0.2 (typ.) ID 20A Marking and Pi n TO-247 Schematic Diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery Descri

 8.1. Size:463K  silikron
 ssf20n60h.pdf pdf_icon

SSF20N50UH

SSF20N60H Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 0.2ohm(typ.) ID 20A Marking a nd p in TO247 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20N60H series MOSFETs is a new technology w

 8.2. Size:376K  silikron
 ssf20ns65.pdf pdf_icon

SSF20N50UH

SSF20NS65 Main Product Characteristics VDSS 680V RDS(on) 180mohm(typ.) ID 20A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20NS65 series MOSFETs is a new technology. whic

 8.3. Size:477K  silikron
 ssf20ns60f.pdf pdf_icon

SSF20N50UH

SSF20NS60F Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 170m (typ.) ID 20A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20NS60F series MOSFETs is a new

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF1526, SSF1530, SSF18N50F, SSF18NS60, SSF18NS60F, SSF1N80D, SSF1N80G5, SSF1N90D, IRFP460, SSF20N60H, SSF20NS60, SSF20NS60F, SSF20NS65, SSF20NS65F, SSF2112H2, SSF2116EJ3, SSF2122E