SSF20NS65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF20NS65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 680 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57.44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSF20NS65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF20NS65 даташит

 ..1. Size:376K  silikron
 ssf20ns65.pdf pdf_icon

SSF20NS65

SSF20NS65 Main Product Characteristics VDSS 680V RDS(on) 180mohm(typ.) ID 20A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20NS65 series MOSFETs is a new technology. whic

 0.1. Size:380K  silikron
 ssf20ns65f.pdf pdf_icon

SSF20NS65

SSF20NS65F Main Product Characteristics VDSS 680V RDS(on) 180mohm(typ.) ID 20A Marking and pin TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20NS65F series MOSFETs is a new technology. w

 6.1. Size:477K  silikron
 ssf20ns60f.pdf pdf_icon

SSF20NS65

SSF20NS60F Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 170m (typ.) ID 20A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20NS60F series MOSFETs is a new

 6.2. Size:480K  silikron
 ssf20ns60.pdf pdf_icon

SSF20NS65

SSF20NS60 Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 170m (typ.) ID 20A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF20NS60 series MOSFETs is a new te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF18NS60F, SSF1N80D, SSF1N80G5, SSF1N90D, SSF20N50UH, SSF20N60H, SSF20NS60, SSF20NS60F, IRLZ44N, SSF20NS65F, SSF2112H2, SSF2116EJ3, SSF2122E, SSF2129H3, SSF2145CH6, SSF2160G4, SSF2300