SSF2701. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2701

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4(2.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125(0.1) Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для SSF2701

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2701 даташит

 ..1. Size:277K  silikron
 ssf2701.pdf pdf_icon

SSF2701

SSF2701 GENERAL FEATURES N-Channel VDS = 20V,ID = 2.4A RDS(ON)

Другие IGBT... SSF2485, SSF2610E, SSF2616E, SSF2627, SSF2637E, SSF2649, SSF26NS60, SSF26NS60A, IRF530, SSF2810EH2, SSF2814E, SSF2814EH2, SSF2816E, SSF2816EB, SSF2841, SSF2N60, SSF2N60D