SSF2816EB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2816EB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для SSF2816EB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2816EB даташит

 ..1. Size:298K  silikron
 ssf2816eb.pdf pdf_icon

SSF2816EB

SSF2816EB DESCRIPTION The SSF2816EB uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 0.75V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:458K  goodark
 ssf2816ebk.pdf pdf_icon

SSF2816EB

SSF2816EBK 20V Dual N-Channel MOSFET DESCRIPTION The SSF2816EBK uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A Schematic Diagram RDS(ON)

 6.1. Size:425K  silikron
 ssf2816e.pdf pdf_icon

SSF2816EB

SSF2816E Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 16.5mohm(typ.) ID 7A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 8.1. Size:533K  silikron
 ssf2814eh2.pdf pdf_icon

SSF2816EB

SSF2814EH2 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF2649, SSF26NS60, SSF26NS60A, SSF2701, SSF2810EH2, SSF2814E, SSF2814EH2, SSF2816E, IRFP450, SSF2841, SSF2N60, SSF2N60D, SSF2N60D2, SSF2N60F, SSF2N60G, SSF3002EG1, SSF3018