Справочник MOSFET. SSF4607D

 

SSF4607D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF4607D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
   Время нарастания (tr): 39 ns
   Выходная емкость (Cd): 173 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для SSF4607D

 

 

SSF4607D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  silikron
ssf4607d.pdf

SSF4607D
SSF4607D

SSF4607D Main Product Characteristics: DVDSS -30V G RDS(on) 19m(typ.) SID -25A TO-252 Marking and pin Schematic diagram Ass ig nme nt Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse

 8.1. Size:496K  silikron
ssf4606.pdf

SSF4607D
SSF4607D

SSF4606 DESCRIPTION The SSF4606 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES N-Channel VDS = 30V,ID = 6.9A RDS(ON)

 8.2. Size:501K  silikron
ssf4604.pdf

SSF4607D
SSF4607D

SSF4604 DESCRIPTION The SSF4604 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES D1 D1 D2 D2N-Channel 8 7 6 5VDS = 30V,ID = 6.9A RDS(ON)

 9.1. Size:328K  silikron
ssf4624.pdf

SSF4607D
SSF4607D

SSF4624 DESCRIPTION The SSF4624 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 40V,ID =6A RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top